氮化硅中氟、氯的測定

電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造，而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關(guān)接觸部件造成嚴重腐蝕，所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準確測定具有重要意義。

分析柱：SH-G-1+SH-AC-11

流動相：12 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：35℃

抑制器：SHY-A-6

進樣體積：25 μL

前處理：稱取適量樣品（準確記錄質(zhì)量，精確到 0.0001 g）于樣品舟中，經(jīng)燃燒離子色譜進樣分析。同時做樣品舟空燒對照組分析。

色譜測量數(shù)據(jù)

氮化硅中氟、氯的譜圖